LM4702来制作MOSFET输出乙类功放

我是偷懒采用国半的LM4702来制作MOSFET输出乙类功放。所用的输出管是IRL540N/2SJ221，这对管比较特殊，是逻辑电平的管，开启电压=1.5V，Vgs=4V即可达最大电流，其Gfs非常之高。所以造成的非线性失真也较小。但是郁闷的是，虽然电流有20A之巨，但是耐压仅100V，因此不能加很高的电压，功率也就做不大了。我用作60W8R的通用功放和电分系统的中高音功放。
上一贴提到像K1058之类的平面场效应管具有很低的开启电压，很小电流下就可以获得不错的线性跨导，但是价格贵，输出效率低。而垂直场效应管，例如IRFP240和我用的FQA46N15，尽管高效，但是刚开启这段的Gfs线性很差，那么要降低小功率失真的话，必须使用很大的偏置电流，如此一来代价非常高昂。
那么为了克服这两种MOSFET的缺点，我尝试着将其直接并联输出，结果还真成了，继续保持EFP的最简结构。区别在于实际上是EFP1P2，这里P1使用了平面管2SK214，P2使用了垂直管FQA46N15，偏置电压为6.5V，是将K214偏置到了线性区，FQA46N15是偏置到了微导通区，这样小信号的线性度就解决了，大音量听音也未觉不妥，现在就等着AP的测试结果了。如果AP结果也通过的话，这就不失为一个很好的方法了。